| 标题 |
Oxide Reliability of Gate Biased Trench Si-IGBTs Irradiated with Protons and Neutrons |
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊: 作者:Lucas Barroso Spejo; Silvan Rehm; Vladimír Novák; Benedict Ammann; Philippe Würsch; et al 出版日期:2024-06-02 |
| 求助人 | |
| 下载 | 求助已完成,仅限求助人下载。 |
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)