| 标题 |
Growth of high optical and electrical quality GaN layers using low-pressure metalorganic chemical vapor deposition 相关领域
半最大全宽
化学气相沉积
蓝宝石
光致发光
材料科学
金属有机气相外延
铟
外延
钨
光电子学
杂质
分析化学(期刊)
电子迁移率
氮化铟
化学
氮化镓
光学
纳米技术
冶金
激光器
图层(电子)
有机化学
物理
色谱法
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊:Applied Physics Letters 作者:M. Asif Khan; J. N. Kuznia; J. M. Van Hove; D. T. Olson; S. Krishnankutty; R. M. Kolbas 出版日期:2002-07-26 |
| 求助人 | |
| 下载 | 求助已完成,仅限求助人下载。 |
|
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|