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 Angular dependence of proton-induced single event transient in silicon-germanium heterojunction bipolar transistors 硅锗异质结双极晶体管中质子诱导单事件瞬态的角度依赖性
相关领域
质子
锗
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材料科学
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期刊：Chinese Physics B 作者：Jianan Wei; Yang Li; Wenlong Liao; Fang Liu; Yonghong Li; et al 出版日期：2022-03-14 |
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