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  AlGaN/GaN devices with metal–semiconductor or insulator–semiconductor interfacial layers: Vacuum level step due to dipole and interface fixed charge 具有金属-半导体或绝缘体-半导体界面层的AlGaN/GaN器件：偶极子和界面固定电荷引起的真空能级阶跃
相关领域
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期刊：Journal of Applied Physics 作者：Yuchen Deng; Jieensi Gelan; Kazuya Uryu; T. Suzuki 出版日期：2024-02-28 |
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