Self-substrate-triggered technique to enhance turn-on uniformity of multi-finger ESD protection devices

稳健性(进化) 静电放电 基质(水族馆) 材料科学 计算机科学 光电子学 电气工程 电子工程 工程类 化学 电压 生物化学 基因 海洋学 地质学
作者
Ming-Dou Ker,Jia-Huei Chen,Kuo-Chun Hsu
标识
DOI:10.1109/vtsa.2005.1497063
摘要

A novel self-substrate-triggered (SST) technique is proposed to solve the nonuniform turn-on issue of the multi-finger GGNMOS for ESD protection. The first turned-on center finger is used to trigger on all fingers in the GGNMOS structure with self-substrate-triggered technique. So, the turn-on uniformity and ESD robustness of GGNMOS can be greatly improved by the new proposed self-substrate-triggered technique.
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